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crookback    
n. 驼背

驼背

crookback
adj 1: characteristic of or suffering from kyphosis, an
abnormality of the vertebral column [synonym: {crookback},
{crookbacked}, {humped}, {humpbacked}, {hunchbacked},
{gibbous}, {kyphotic}]
n 1: a person whose back is hunched because of abnormal
curvature of the upper spine [synonym: {humpback}, {hunchback},
{crookback}]


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英文字典中文字典相关资料:


  • 关于MLCC陶瓷电容，这篇总结得太全面了 - CSDN博客
    陶瓷电容容量从0 5pF起步，可以做到100uF，并且根据电容封装（尺寸）的不同，容量也会不同。 选购电容器不能一味的选择大容量，选择合适的才是正确的，例如0402电容可以做到10uF 10V，0805的电容可以做到47uF 10V，但是为了好采购、成本低，一般都不会顶格选电容 一般推荐0402选4 7uF-6 3V，0603选22uF 6 3，0805选47uF 6 3V，其它更高耐压需要对应降低容量。 满足要求的情况下，选择主要就看是否常用，价格是否低廉。 陶瓷电容常见的额定电压有：2 5V、4V、6 3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、200V、250V、450V、500V、630V、1KV、1 5KV、2KV、2 5KV、3KV等等。
  • 【转载】陶瓷电容器MLCC 基础知识 - 知乎
    它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿。 Ⅱ类陶瓷电容器（Class Ⅱ ceramic capacitor）过去称为为低频陶瓷电容器（Low frequency cermic capacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容器，因此也称铁电陶瓷电容器。
  • 陶瓷电容 - 维基百科，自由的百科全书
    陶瓷电容器是電子設備中最常使用的電容，每年的產量約為一兆顆 [1]。 其中最常用的是積層陶瓷電容器（MLCC），且有采用 表面安装技术 的元件。 陶瓷电容是有二個端子的非極性元件。 早期最常使用陶瓷电容是碟型電容器，比電晶體問世的時間要早，在1930年代到1950年代就應用在許多的 真空管 設備（如廣播接收器）中，後來陶瓷电容也廣泛使用在電晶體設備中。 至2007年止，由於陶瓷电容相較於其他低容值電容的高容量及低成本優勢，陶瓷电容仍廣泛使用在各種電子設備中。 陶瓷电容可分為以下幾種不同的形狀及様式： 沒有針腳的碟型電容，一般會放在電路板的槽中，直接銲接在電路板上，常用在 特高頻 （UHF）的應用。 圓筒型的，目前已不使用。 一般販售的陶瓷电容可分為以下三類 [2][3]：
  • 陶瓷电容器_百度百科
    陶瓷电容器（ceramic capacitor；ceramic condenser）又称为瓷介电容器或 独石电容器。 顾名思义，瓷介电容器就是介质材料为陶瓷的电容器。 根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类。 按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、 穿心电容器 等多种。 根据介质层的形成方式，还可分为表面层陶瓷电容器和晶界层陶瓷电容器 [1]。 为提高陶瓷电容器的击穿电压，可在电极与介质表面交界边缘涂覆玻璃釉 [2]。 滑石瓷 因其高绝缘强度和高频下低介质损耗等特性，可用于制造高压电容器 [4]。 对于便携式电子产品，多层陶瓷片式电容器（MLCC）不断向小型化发展，外形尺寸已从3216减小到0603、0402乃至0201型。
  • 陶瓷电容 (MLCC)，你真的了解吗？ - Wcat - 博客园
    陶瓷电容常见的额定电压有：2 5V、4V、6 3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、200V、250V、450V、500V、630V、1KV、1 5KV、2KV、2 5KV、3KV等。 按照电容的温度特性可将MLCC分为两类：I类陶瓷电容 (NP0、C0G)和II类陶瓷电容 (X7R、X5R、Y5V、Y5U、Z5V、Z5U等)。 I类、II类陶瓷电容的特点如下： MLCC的 E S R 与电容器的容量、电压、频率及温度等都有关联；当额定电压、频率、温度一致时，容量越大， E S R 越小；另外，低频时 E S R 高，高频时 E S R 相对较低；并且高温也会使 E S R 增大。
  • 陶瓷电容的简单介绍--MLCC（NPO，C0G，X7R和Y5V等），瓷片电容（低频瓷介电容和高频瓷介电容）
    目前在便携产品中广泛应用的片式多层陶瓷电容器 (MLCC)材料根据温度特性，主要可分为两大类：BME化的C0G产品和LOW ESR选材的X7R (X5R)产品。 C0G类MLCC的容量多在1000pF以下，该类电容器低功耗涉及的主要性能指标是损耗角正切值tanδ (DF)。
  • 电容器篇 Vol. 3 [陶瓷电容器②]｜电子入门｜TDK Techno Magazine
    陶瓷电容器的静电容量还会因所施加的电压而发生变化，在直流电压下被称为直流偏压特性。 静电容量的变化在低电容率类 (种类1)中几乎看不到，但在高电容率类 (种类2)的B特性、特别是F特性的陶瓷电容器中表现明显。 这是因为高电容率类使用自发极化的强电介质 (BaTiO 3 等)。 陶瓷是由众多晶粒 (grain)构成的多晶体。 在强电介质中，晶畴 (domain)的自发极化是朝着向不同的方向，相互抵消，整体不表现出自发极化。 但是，如果所施加的直流电场的强度增高，则最初自发极化的朝向会定向为电场的朝向，电容率增大。 如果进一步提高电场，则会终止定向，达到饱和状态，电容率降低。 因此，在施加直流偏压的情况下，需要考虑到电介质的特性、使用电压与耐圧从而进行选择。
  • 熟知陶瓷电容的细节，通往高手的必经之路 - 知乎
    随着工艺进步，同样封装的 电容 耐压和容值越来越大， 陶瓷电容 的使用范围越来越广。 但是，你如果把陶瓷电容当做一个理想电容符号来使用的时候，可能会有意想不到的问题。 下面我们进入陶瓷电容的容值变化的世界。 一、电压值变大了， 电容值 变小（耐压范围以内） 在给出的多种电容类型中，最常用的是X5R、X7R。 所有的型号在环境条件变化时都会出现电容值变化。 尤其Y5V在整个环境条件区间内，会表现出极大的 电容量 变化。 当电容公司开发产品时，他们会通过选择材料的特性，使电容能够在规定的温度区间（第一个和第二个字母），工作在确定的变化范围内（第三个字母）。 我正在使用的是 X7R电容，它在-55°C到+125°C之间的变化不超过±15%。
  • 关于MLCC陶瓷电容，这篇总结得太全面了！ - 21ic电子网
    陶瓷电容常见的额定电压有：2 5V、4V、6 3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、200V、250V、450V、500V、630V、1KV、1 5KV、2KV、2 5KV、3KV等等。 同介质种类由于它的主要极化类型不一样，其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样。 在相同的体积下的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。





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