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(1999-01-27)

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英文字典中文字典相关资料:

PN结正向电压温度特性实验，有什么原理？ - 知乎
基于PN结的正向电压温度特性，我们可以设计实验来测量PN结的正向压降随温度的变化曲线，并由此确定PN结的灵敏度和材料的禁带宽度。实验步骤大致如下： 1 准备实验仪器和样品，包括PN结样品、加热测温装置、示波器或电压表以及恒流源等。 2
pn结的原理？ - 知乎
在内电场的作用下，电子将从P区向N区作漂移运动，空穴则从N区向P区作漂移运动。经过一段时间后，扩散运动与漂移运动达到一种相对平衡状态，在交界处形成了一定厚度的空间电荷区叫做 PN结。
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pn结怎么理解？ - 知乎
④载流子浓度载流子分布图 PN结-正偏正偏： PN 结中 P 区接电源的正极， N 区接电源的负极。外加电压产生的电场方向与内建电场方向相反。外加电压小于内建电势差时，内建电场减小。空间电荷区两端的电势差降低，空间电荷的数量减小，空间电荷区的宽度
我理解的半导体 pn 结的原理，哪里错了？ - 知乎
当PN结形成的时候，P型半导体和N型半导体直接接触。之前曾经讲过热平衡时同一块半导体材料会具有统一的费米能级，所以当PN结形成时，半导体的能带会发生弯曲，使得P型和N型半导体的费米能级能够统一。而能带是怎样弯曲的呢？首先我们考虑离PN结距离很远的地方，这里远在PN结电场的影响
在半导体工程中，什么是 PN 节？ - 知乎
PN结的特性包括：单向导电性：当PN结上施加正向电压（即P端接电源正极，N端接电源负极），内建电场被削弱，外部电场促使多数载流子（N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴）更容易越过结区，形成较大的正向电流。
PN结中漂移远动和扩散远动什么意思？ - 知乎
PN结：P型掺杂区和N型掺杂区接触形成，两者之间存在一个动态平衡。 P区：多子为空穴，少子为自由电子。 N区：多子为自由电子，少子为空穴。由于存在浓度梯度，多子会向少子方向扩散，即P区的空穴向N区扩散，留下带负电的掺杂粒子；N区的自由电子向P区扩散，留下带正电的掺杂粒子。这种
加正向电压时，PN结耗尽层为什么只是变窄，而不是消失？继续增加正向电压时，PN结耗尽层是否就可以消失？ - 知乎
PN结正偏能带图 PN结正偏，耗尽层中正电荷指向负电荷形成电场，引发能带弯曲，正向电压增大，空间电荷区变窄，势垒不断减小，当增大到一定程度时会引发大注入现象（注入到对面的少子的数量级已经可以和原本存在的多子相比拟），因此不可忽略其对电中性的破坏。此时在中性区会形成一个
pn结为什么会因高温烧坏 (热击穿)？ - 知乎
右侧第一象限部分，当电压超过绿色“Exponential Region”区域后，电流会飞速增加。根据焦耳定律，此时发热功率很高，热量累积的会非常快，如果器件本身散热能力不足，就会导致烧坏。注意，这是烧坏，不是击穿。击穿通常发生在这个曲线的左侧第三象限部分（图中“Breakdown”部分），又分齐纳
PN结的扩散电容？ - 知乎
pn结的势垒电容和扩散电容都随外加电压而变化，是可变电容。需要引入微分电容的概念来表示pn结的电容。 C=\frac {dQ} {dV} （1）突变结的势垒电容因此，可以把反向偏压下的pn结势垒电容等效为一个平行板电容器的电容，势垒区宽度对应于两平行极板间的距离。

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